IIIF专利信息发布(二十八)

为促进科技成果转化,充分发挥清华大学产业创新与金融研究院产学研融合作交流的平台作用,即日起,IIIF公众号将不定期发布技术专利精选信息,尤以清华大学技术专利信息为主,敬请关注。

01

专利名称:上层钢管柱与下层钢筋混凝土柱的转换结构及转换方法

专利(申请)号:201910153026.2

发明人:聂鑫;樊健生;高劲洋;陶慕轩

摘要:本发明公开了一种上层钢管柱与下层钢筋混凝土柱的转换结构及转换方法,上层钢管柱与下层钢筋混凝土柱同轴且在轴向方向上部分重叠以形成转换段,在转换段上层钢管柱的内侧和外侧中的至少一侧焊接有栓钉,下层钢筋混凝土柱包括柱纵筋,柱纵筋沿纵向延伸,柱纵筋包括多个且沿环绕下层钢筋混凝土柱的轴线方向间隔开布置,上层钢管柱的最底端与柱纵筋的最顶端之间的距离不超过上层钢管柱的直径;转换段内设有纵向钢筋笼,转换段浇筑有混凝土,混凝土的高度不超过上层钢管柱的直径,纵向钢筋笼的顶部向上延伸至不高于混凝土的顶部且底部向下延伸至超出转换段。根据本发明的上层钢管柱与下层钢筋混凝土柱的转换结构,可有效改善转换结构的受力性能。

02

专利名称:皮特不动杆菌及其用途

专利(申请)号:201610202208.0

发明人:左剑恶;李晓霞

摘要:本发明公开了皮特不动杆菌及其用途,其中,该皮特不动杆菌于2015年11月16日保藏于中国微生物菌种保藏管理委员会普通微生物中心(CGMCC),保藏单位的地址为北京市朝阳区北辰西路1号院3号中国科学院微生物研究所,保藏编号CGMCC NO.11670,保藏名称为皮特不动杆菌Acinetobacter pittii SYJ1-3。本发明的皮特不动杆菌能够以石油为碳源生长和增殖,利用自身代谢降解石油,可以有效用于石油废水、石油污染土壤等的治理,不仅石油降解效率高,且操作简单、方便,成本较低。

03

专利名称:一种在常温下调控氧化物材料缺陷浓度的方法

专利(申请)号:201710255849.7

发明人:李亚栋;伍晖;欧刚

摘要:本发明涉及一种在常温下调控氧化物材料缺陷浓度的方法,该方法在选定的氧化物材料中加入适量的高反应活性的金属粉体和分散介质,研磨均匀使其充分反应,离心干燥后即可得到具有一定缺陷浓度的氧化物材料,通过调节金属锂粉的加入量即可调控氧化物材料中缺陷的含量。本发明的方法在研磨过程中夺取部分氧化物材料晶格中的氧,利用缺陷的引入对氧化物材料的表面结构以及光学、电学和催化等性能进行调控,常温下即可在氧化物材料中引入缺陷,同时具有快速、节能、环保和适用范围广等优点,尤其对于材料缺陷比较敏感和材料缺陷调控相对困难的体系有更加显著的优势。

04

专利名称:3-羟基丁酸及其衍生物在制备抗动脉粥样硬化的产品中的应用

专利(申请)号:201910160173.2

发明人:陈国强;张书杰;李子华;张雨点

摘要:本发明属于医药领域,具体涉及3-羟基丁酸及其衍生物在制备抗动脉粥样硬化的产品中的应用。与现有技术相比,本发明的有益效果体现在:(1)3-羟基丁酸及其衍生物可用于制备抗动脉粥样硬化的药物或保健品,不仅可以降低血脂而且还可以抑制动脉粥样硬化发病过程中出现的炎症反应,从而达到抗动脉粥样硬化的效果,具有临床应用前景;(2)3-羟基丁酸及其衍生物副作用很小,安全性特别高,适合长期服用,成药性良好。

05

专利名称:一种用于生物3D打印机的微喷头装置及其应用

专利(申请)号:201910203395.8

发明人:张婷;苏晓磊;宋宇;孙伟

摘要:本发明公开了一种用于生物3D打印机的微喷头装置及其应用。该微喷头装置包括在微流控芯片上设置有至少两个进液口、至少两个分液流道、主通道a、S型微通道、主通道b、至少三个侧向流道和至少一个出液口;S型微通道具有至少1个S型弯道;进液口各自对应分液流道,不同分液流道汇聚到依次相连接的主通道a、S型微通道、主通道b,侧向流道垂直连接于主通道b上,侧向流道上设置微阀以控制侧向通道的导通与阻断;不同进液口分别通过软管连接各自注射泵搭载的各自储液筒;出液口上连接有微挤出喷头。本发明能作为一个微喷头模块搭载到任何三维打印平台上,能实现高通量异质多组分的生物3D打印,对于体外构建多细胞异质仿生组织具有很大的应用前景。

06

专利名称:NAND存储器结构、形成方法和三维存储器阵列

专利(申请)号:201610245529.9

发明人:潘立阳

摘要:本发明公开了一种NAND存储器结构的形成方法,该形成方法包括以下步骤:提供半导体衬底,在衬底之中形成的多组源极选择晶体管;在源极选择晶体管之上形成纵向叠层结构的存储单元,纵向叠层结构的存储单元包括垂直沟道、多层存储栅介质、形成在垂直沟道之外的位线选择管栅极和叠层字线,其中,源极选择晶体管的漏极与垂直沟道底部的多层存储栅介质接触;在纵向叠层结构的存储单元之上形成位线;通过位线和叠层字线向源极选择晶体管的漏极与垂直沟道之间的多层存储栅介质施加击穿电压。该NAND存储器的形成方法,可以降低工艺难度,降低成本,提高集成密度。本发明还公开一种NAND存储器结构及其形成方法和三维存储器阵列。

数据来源于国家知识产权局2019年05月27日~2019年06月02日专利公开公告的出版信息。

以上专利技术信息转自清华大学成果与知识产权管理办公室。

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